Моя заявка (0)
IPA60R080P7XKSA1, MOSFET транзистор PG-TO220-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070046933
Артикул
IPA60R080P7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1.89
Серия
CoolMOS P7
Channel Type
N Channel
Упаковка
Tube
Цена по запросу
(от 585 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Технические параметры

Вес, г1.89
СерияCoolMOS P7
Channel TypeN Channel
УпаковкаTube
Power Dissipation29Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада5 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора51 nC
Время нарастания10 ns
Drain Source On State Resistance0.069Ом
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока37А
Рассеиваемая Мощность29Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Pd - рассеивание мощности29 W
Другие названия товара №IPA60R080P7 SP001658398
Id - непрерывный ток утечки37 A
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Размер фабричной упаковки500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток69 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения70 ns
Типичное время задержки при включении15 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.069Ом

Техническая документация