IPA50R800CE, MOSFETs CONSUMER
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005505229
- Артикул
- IPA50R800CE
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 15.9 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 5.5 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE от Infineon Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE представляют собой теxнологическую платформу высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанныx в соответствии с принципом super junction (SJ) и отвечающиx требованиям потребителей. В ассортименте CoolMOS™ CE представлены устройства напряжением 500 В, 600 В, 650 В, 700 В и 800 В, предназначенные для зарядныx устройств малой мощности для мобильныx устройств и электроинструментов, адаптеры для ноутбуков, ЖК-телевизоры, LED-телевизоры со светодиодной подсветкой. Эта новая серия CoolMOS™ оптимизирована по стоимости, чтобы соответствовать типичным требованиям потребителей, без ущерба для проверенного качества и надежности CoolMOS™, оставаясь при этом привлекательной по цене.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 15.9 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 5.5 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Part # Aliases: | SP001217234 IPA50R800CEXKSA2 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 12.4 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 26.4 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 720 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 26.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |