CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 5.4 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA50R500CEXKSA2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014554066
- Артикул
- IPA50R500CEXKSA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- Q(g)
- 18.7 nC
- HTSUS
- 8541.29.0095
- V(DS)
- 500 V
Цена по запросу
(от 184,32 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Infineon 500V Cool MOS™ серии CE - это платформа, оптимизированная по соотношению цены и качества, позволяющая ориентироваться на чувствительные к затратам приложения на потребительском рынке и рынке освещения, соxраняя при этом высочайшие стандарты эффективности.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Q(g) | 18.7 nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| V(DS) | 500 V |
| P(tot) | 28 W |
| Series | CoolMOS™ CE |
| Package | Tube |
| R(thJC) | 4.46 K/W |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Automotive | NO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.65 mm |
| Серия | CoolMOS CE |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 FP |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 16.15 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.85 mm |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 500 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| I(D)at Tc=25°C | 11.1 A |
| Упаковка | Tube |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | IPA50R500 -> |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 2.3A, 13V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.7nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.4 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 433pF @ 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.4A (Tc) |
| Другие названия товара № | IPA50R500CE SP001217230 |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 500 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |