Моя заявка (0)
MOSFET Transistor, 14.1 A PG-TO 220 FullPAK IPA50R380CEXKSA2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8033001729
Артикул
IPA50R380CEXKSA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Series
CoolMOSв„ў CE ->
Package
Tube
Цена по запросу
(от 216,97 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon CoolMOS CE - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, впервые разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ).

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
SeriesCoolMOSв„ў CE ->
PackageTube
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)В±20V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г1
RoHS StatusROHS3 Compliant
Package TypePG-TO 220 FullPAK
REACH StatusREACH Unaffected
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 260ВµA
СтруктураMOSFET
Base Product NumberIPA50R380 ->
Operating Temperature-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 3.2A, 13V
Особенности-
Power Dissipation (Max)29.2W (Tc)
Supplier Device PackageTO-220 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24.8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Maximum Continuous Drain Current14.1 A
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds584pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C6.3A (Tc)
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14.1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт29.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация