IPA50R280CEXKSA2, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 500В, 7,5А, 30,4Вт, Ugs ±20В
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041349830
- Артикул
- IPA50R280CEXKSA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- TO220FP
- Q(g)
- 32.6 nC
- V(DS)
- 500 V
- Width
- 4.9mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой N-MOSFET IPA50R280CEXKSA2 от производителя INFINEON выделяется монтажом THT и способен работать при токе стока до 7,5 А. С напряжением сток-исток в 500 В и мощностью 30,4 Вт, этот компонент имеет сопротивление в открытом состоянии всего 0,28 Ом, что обеспечивает высокую эффективность в его области применения. Корпус PG-TO220-3-FP гарантирует удобство монтажа и надежность использования. Модель IPA50R280CEXKSA2, благодаря своим характеристикам, отлично подходит для разработки современных электронных устройств, где требуются компоненты с высокой производительностью и надежностью. Используйте модель IPA50R280CEXKSA2 для ваших проектов, где требуется надежность и эффективность. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 7.5 Напряжение сток-исток, В 500 Мощность, Вт 30.4 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.28 Корпус PG-TO220-3-FP
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Q(g) | 32.6 nC |
| V(DS) | 500 V |
| Width | 4.9mm |
| P(tot) | 30.4 W |
| Series | CoolMOS CE |
| Package | TO-220FP |
| R(thJC) | 4.11 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | CoolMOS™ |
| Вес, г | 1.95 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Polarisation | unipolar |
| Configuration | N-CH |
| Drain current | 7.5A |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 280 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 18.1 A |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 30.4W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.28Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 500V |
| Forward Diode Voltage | 0.85V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 30.4 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 32.6 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 550 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Maximum Drain Source Resistance | 280 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.4…-1.2 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |