Моя заявка (0)

IPA50R140CPXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 23А, 34Вт, TO220FP

IPA50R140CPXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 23А, 34Вт, TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8074763461
Артикул
IPA50R140CPXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
48 nC
V(DS)
500 V
Width
4.85mm
P(tot)
34 W
Цена по запросу
(от 568 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IPA50R140CPXKSA1 производства INFINEON обладает высокими техническими характеристиками. Предназначен для монтажа в отверстия (THT), обеспечивая надежное соединение с печатной платой. Этот N-MOSFET транзистор выдерживает ток стока до 23 А и напряжение сток-исток до 500 В, что позволяет использовать его в мощных устройствах. С мощностью 34 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,14 Ом, он обеспечивает эффективную работу с минимальными потерями. Корпус PG-TO220-3-FP гарантирует удобную установку и надежность. Используйте код IPA50R140CPXKSA1 для поиска и покупки этого надежного компонента в нашем магазине. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 23 Напряжение сток-исток, В 500 Мощность, Вт 34 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.14 Корпус PG-TO220-3-FP

Технические параметры

Q(g)48 nC
V(DS)500 V
Width4.85mm
P(tot)34 W
SeriesCoolMOS CP
PackageTO-220FP
R(thJC)3.65 K/W
MountingTHT
PackagingTUBE
Pin Count3
AutomotiveNO
TechnologyCoolMOS CP
Вес, г2.17
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220 FP
ConfigurationN-CH
Mounting TypeThrough Hole
RDS(on)at 10V140 mOhm
Fast bodydiodeNO
I(D)at Tc=25°C23 A
Transistor MaterialSi
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation34 W
Typical Gate Charge @ Vgs48 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage550 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Drain Source Resistance140 mΩ
Maximum Continuous Drain Current23 A

Техническая документация