Моя заявка (0)

IPA105N15N3GXKSA1, Trans MOSFET N-CH 150V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

IPA105N15N3GXKSA1, Trans MOSFET N-CH 150V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001293791
Артикул
IPA105N15N3GXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
4.85mm
Series
OptiMOS 3
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 1 190 ₽)
Минимальный заказ: 26 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IPA105N15N3GXKSA1 производства INFINEON - это надежный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). С током стока 37 А и напряжением сток-исток 150 В, этот транзистор способен управлять значительными нагрузками. С мощностью 40,5 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,0105 Ом, он обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери мощности. Выполненный в корпусе PG-TO220-3, IPA105N15N3GXKSA1 является отличным выбором для различных электронных применений, требующих высокой надежности и долговечности. Воспользуйтесь IPA105N15N3GXKSA1 для создания эффективных и мощных электронных схем. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 37 Напряжение сток-исток, В 150 Мощность, Вт 40.5 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0105 Корпус PG-TO220-3

Технические параметры

Width4.85mm
SeriesOptiMOS 3
Pin Count3
Вес, г1
Длина10.65 mm
СерияOptiMOS 3
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220 FP
Высота16.15 mm
КорпусTO-220
Ширина4.85 mm
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1.2V
Вид монтажаThrough Hole
Время спада9 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation40.5 W
Typical Gate Charge @ Vgs41 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-220FP-3
Maximum Drain Source Voltage150 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора55 nC
Maximum Drain Source Resistance11.1 mΩ
Время нарастания20 ns
Maximum Continuous Drain Current37 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности40.5 W
Другие названия товара №G IPA105N15N3 IPA15N15N3GXK SP000677850
Id - непрерывный ток утечки37 A
Коммерческое обозначениеOptiMOS
Размер фабричной упаковки500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток9.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток150 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения35 ns
Типичное время задержки при включении17 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А37
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.33 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт40.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация