IPA086N10N3GXKSA1, Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001294210
- Артикул
- IPA086N10N3GXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.85mm
- Series
- OptiMOS 3
- Military
- No
- Packaging
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPA086N10N3GXKSA1 от производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа THT. Он обладает током стока 45 А и напряжением сток-исток 100 В, что позволяет использовать его в различных силовых применениях. Этот транзистор имеет мощность 37,5 Вт и отличается низким сопротивлением в открытом состоянии, всего 0,0086 Ом, что обеспечивает высокую эффективность. Упакованный в надежный корпус TO220FP, он гарантирует долговечность и стабильность работы. Для приобретения данного компонента, ищите артикул IPA086N10N3GXKSA1 в нашем каталоге. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 45 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 37.5 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0086 Корпус TO220FP
Технические параметры
| Width | 4.85mm |
| Series | OptiMOS 3 |
| Military | No |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 FP |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Process Technology | OptiMOS |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 37.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 15.4 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 45 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 37500 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 42 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 42@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 100 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 45 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2990@50V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 8.6@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 45 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 37.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |