Моя заявка (0)

Транзистор полевой IPA086N10N3G MOSFET N-Ch 100V 45A

Транзистор полевой IPA086N10N3G MOSFET N-Ch 100V 45A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070017733
Артикул
IPA086N10N3G
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
8 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
10 ns
Цена по запросу
(от 740 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор IPA086N10N3G — изделие серии IPA086. Характеристики Обозначение: IPA086N10N3G Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой MOSFET N-Ch 100V 45A Масса: 2 г Производитель: Infineon Единица измерения: шт

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:8 ns
Packaging:Tube
Rise Time:10 ns
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TO-220-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:IPA86N1N3GXK SP000485984 IPA086N10N3GXKSA1
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:42 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:500
Pd - Power Dissipation:37.5 W
Typical Turn-On Delay Time:16 ns
Typical Turn-Off Delay Time:27 ns
Id - Continuous Drain Current:45 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:35 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.7 V

Техническая документация