Моя заявка (0)

IPA083N10N5XKSA1,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 44 A, 0.0072 ohm, TO-220, Through Hole

IPA083N10N5XKSA1,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 44 A, 0.0072 ohm, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000062874
Артикул
IPA083N10N5XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Case
TO220FP
Mounting
THT
Technology
OptiMOS™ 5
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 436 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IPA083N10N5XKSA1 от INFINEON – это высококачественный компонент для монтажа THT, предназначенный для работы в схемах с высокими нагрузками. С током стока 44 А и напряжением сток-исток 100 В, этот транзистор гарантирует эффективную работу при мощности в 36 Вт. Особенностями данной модели являются низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0083 Ом и корпус TO220FP, что обеспечивает его надежность и долговечность. Тип N-MOSFET подходит для широкого спектра электронных применений. Воспользуйтесь IPA083N10N5XKSA1 для повышения эффективности ваших проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 44 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 36 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0083 Корпус TO220FP

Технические параметры

CaseTO220FP
MountingTHT
TechnologyOptiMOS™ 5
Вес, г0.1
Channel TypeN
ManufacturerINFINEON TECHNOLOGIES
Package TypePG-TO220-FP
Polarisationunipolar
КорпусTO-220
Drain current44A
Mounting TypeSMD
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation36W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±20V
On-state resistance8.3mΩ
Drain-source voltage100V
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Continuous Drain Current44 A
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А44
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт36
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0072 Ом

Техническая документация