Моя заявка (0)

IPA083N10N5, 100V 44A 8.3m @10V,44A 36W 3.8V 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS

IPA083N10N5, 100V 44A 8.3m @10V,44A 36W 3.8V 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049779505
Артикул
IPA083N10N5
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
RoHS
Details
Brand
Infineon Technologies
Width
4.85 mm
Height
16.15 mm
Цена по запросу
(от 410 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IPA083N10N5XKSA1 от INFINEON – это высококачественный компонент для монтажа THT, предназначенный для работы в схемах с высокими нагрузками. С током стока 44 А и напряжением сток-исток 100 В, этот транзистор гарантирует эффективную работу при мощности в 36 Вт. Особенностями данной модели являются низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0083 Ом и корпус TO220FP, что обеспечивает его надежность и долговечность. Тип N-MOSFET подходит для широкого спектра электронных применений. Воспользуйтесь IPA083N10N5XKSA1 для повышения эффективности ваших проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 44 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 36 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0083 Корпус TO220FP

Технические параметры

RoHSDetails
BrandInfineon Technologies
Width4.85 mm
Height16.15 mm
Length10.65 mm
SeriesOptiMOS 5
Fall Time5 ns
PackagingTube
Rise Time5 ns
TradenameOptiMOS
TechnologySi
Вес, г2.72
Unit Weight0.211644 oz
Channel ModeEnhancement
ManufacturerInfineon
ConfigurationSingle
QualificationAEC-Q100
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-220FP-3
Part # AliasesIPA083N10N5 SP001226038
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge30 nC
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity500
Pd - Power Dissipation36 W
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Typical Turn-On Delay Time15 ns
Typical Turn-Off Delay Time24 ns
Id - Continuous Drain Current44 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min38 S
Rds On - Drain-Source Resistance11 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage2.2 V

Техническая документация