Моя заявка (0)

IPA082N10NF2SXKSA1, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 46 A, 0.0073 ohm, TO-220FP, Through Hole

IPA082N10NF2SXKSA1, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 46 A, 0.0073 ohm, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009018868
Артикул
IPA082N10NF2SXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
28 nC
V(DS)
100 V
P(tot)
35 W
Series
IPA
Цена по запросу
(от 500 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Одноканальный МОП-транзистор Infineon StrongIRFET 2 повышенной мощности с увеличенной пропускной способностью по току подxодит для широкого спектра применений, от низкиx до высокиx частот переключения.

Технические параметры

Q(g)28 nC
V(DS)100 V
P(tot)35 W
SeriesIPA
PackageTO-220FP
R(thJC)4.3 K/W
MountingTHT
PackagingTUBE
Pin Count3
AutomotiveNO
TechnologyStrongIR 2
Вес, г2
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220 FP
КорпусTO-220
ConfigurationN-CH
Mounting TypeThrough Hole
RDS(on)at 10V7.3 mOhm
Fast bodydiodeYES
I(D)at Tc=25°C46 A
СтруктураN-Channel
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.8V
Maximum Drain Source Resistance0.0081 Ω
Maximum Continuous Drain Current46 A
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А46
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0073 Ом

Техническая документация