Моя заявка (0)

IPA057N08N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 80В, 60А, 39Вт, TO220FP

IPA057N08N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 80В, 60А, 39Вт, TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061284812
Артикул
IPA057N08N3GXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Military
No
Packaging
Tube
Pin Count
3
Automotive
Yes
Цена по запросу
(от 331 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, N-канальный, 80 В, 60 А, TO-220FP; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 60 А; Напряжение источника стока Vds: 80 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,0049 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:2,8 В; Рассеиваемая мощность Pd: 39 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-220FP; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 175°C; Ассортимент продукции: OptiMOS 3 Series; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC:Без SVHC (27 июня 2018 г.)

Технические параметры

MilitaryNo
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveYes
Вес, г2.15
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Supplier PackageTO-220FP
Standard Package NameTO-220
Number of Elements per Chip1
Operating Temperature - (??C)-55~175
Maximum Power Dissipation - (mW)39000
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)52
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)52@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)??20
Maximum Drain Source Voltage - (V)80
Maximum Continuous Drain Current - (A)60
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)3570@40V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)5.7@10V

Техническая документация