IPA057N06N3GXKSA1, Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001292661
- Артикул
- IPA057N06N3GXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- TO220FP
- Width
- 4.85mm
- Series
- OptiMOS™ 3
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 393 ₽)
Минимальный заказ: 194 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Продукция OptiMOS™ выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Width | 4.85mm |
| Series | OptiMOS™ 3 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | OptiMOS™ 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | TO-220 FP |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO-220 |
| Drain current | 60A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 38W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 5.7mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 60V |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 38 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.7 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |