IPA041N04NGXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 70А, 35Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070189900
- Артикул
- IPA041N04NGXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- TO220FP
- Series
- OptiMOS 3
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPA041N04NGXKSA1 от производителя INFINEON – это надежный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа THT. С током стока в 70 А и напряжением сток-исток 40 В, данный транзистор способен обеспечить мощность до 35 Вт. Особенно впечатляет низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0041 Ом, что гарантирует высокую эффективность при минимальных потерях мощности. Устройство упаковано в надежный корпус PG-TO220-3-FP, что облегчает процесс монтажа и обеспечивает долговечность при эксплуатации. Продукт IPA041N04NGXKSA1 станет оптимальным выбором для мощных источников питания, преобразователей и регуляторов тока. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 70 Напряжение сток-исток, В 40 Мощность, Вт 35 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0041 Корпус PG-TO220-3-FP
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Series | OptiMOS 3 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | OptiMOS™ 3 |
| Вес, г | 2.16 |
| Длина | 10.65 mm |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 FP |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 16.15 mm |
| Ширина | 4.85 mm |
| Drain current | 70A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | tube |
| Упаковка | Tube |
| Power dissipation | 35W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 4.1mΩ |
| Drain-source voltage | 40V |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 4.8 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Qg - заряд затвора | 56 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0041 Ω |
| Время нарастания | 3.8 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 70 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 35 W |
| Другие названия товара № | G IPA041N04N SP001191328 |
| Id - непрерывный ток утечки | 70 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 48 S |