Моя заявка (0)

IPA030N10NF2SXKSA1,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 83 A, 0.0026 ohm, TO-220FP, Through Hole

IPA030N10NF2SXKSA1,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 83 A, 0.0026 ohm, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008814187
Артикул
IPA030N10NF2SXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
103 nC
V(DS)
100 V
P(tot)
41 W
Series
IPA
Цена по запросу
(от 552 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Одноканальный МОП-транзистор Infineon StrongIRFET 2 повышенной мощности с увеличенной пропускной способностью по току подxодит для широкого спектра применений, от низкиx до высокиx частот переключения.

Технические параметры

Q(g)103 nC
V(DS)100 V
P(tot)41 W
SeriesIPA
PackageTO-220FP
R(thJC)3.7 K/W
MountingTHT
PackagingTUBE
Pin Count3
AutomotiveNO
TechnologyStrongIR 2
Вес, г2
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220 FP
КорпусTO-220
ConfigurationN-CH
Mounting TypeThrough Hole
RDS(on)at 10V2.6 mOhm
Fast bodydiodeYES
I(D)at Tc=25°C83 A
СтруктураN-Channel
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Drain Source Resistance0.003 Ω
Maximum Continuous Drain Current83 A
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А83
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт41
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0026 Ом

Техническая документация