IPA029N06N, 60V 87A 2.9mOhm@10V,87A 38W N Channel TO-220FP MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025234022
- Артикул
- IPA029N06N
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- Power MOSFET
- Mounting
- Through Hole
- Polarity
- N
- Packaging
- Rail/Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPA029N06NXKSA1 от производителя INFINEON представляет собой высокопроизводительный компонент для электронных схем. Модель устанавливается методом THT (сквозной монтаж) и имеет корпус PG-TO220-3-FP. Этот N-MOSFET транзистор отличается током стока до 84 А и напряжением сток-исток 60 В. С номинальной мощностью в 38 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,0029 Ом, он обеспечивает эффективное управление нагрузкой с минимальными потерями. Продукт IPA029N06NXKSA1 идеально подходит для применений, требующих высокой мощности и энергоэффективности. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 84 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 38 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0029 Корпус PG-TO220-3-FP
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 3.28 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | TO-220FP |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | TO-220 |
| Power Dissipation | 38(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Drain-Source On-Volt | 60(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 84(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | 20(V) |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 87 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.9мОм |