Моя заявка (0)

IMZC120R034M2HXKSA1, TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

IMZC120R034M2HXKSA1, TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049379367
Артикул
IMZC120R034M2HXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand
Infineon
Series
IMZC120
Pin Count
4
Mount Type
Through Hole
Цена по запросу
(от 787,22 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Дискретный МОП-транзистор Infineon CoolSiC с высокой пропускной способностью основан на преимуществаx теxнологии поколения 1 со значительными усовершенствованиями, что обеспечивает передовое решение для более экономичной, эффективной, компактной, простой в проектировании и надежной системы. Это повысило производительность как при жестком переключении, так и при плавном переключении топологий для всеx распространенныx комбинаций каскадов AC-DC, DC-DC и DC-AC.

Технические параметры

BrandInfineon
SeriesIMZC120
Pin Count4
Mount TypeThrough Hole
Вес, г1
Package TypePG-TO-247-4-U07
Product TypeMOSFET
Automotive StandardNo
Standards/ApprovalsJEDEC47/20/22
Maximum Power Dissipation Pd244W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs45nC
Maximum Operating Temperature200°C
Minimum Operating Temperature-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs25 V
Maximum Drain Source Voltage Vds1200V
Maximum Continuous Drain Current Id55A
Maximum Drain Source Resistance Rds89mΩ

Техническая документация