IMZC120R026M2HXKSA1, SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041118102
- Артикул
- IMZC120R026M2HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +23V, -7V
- Technology
- SiC(Silicon Carbide Junction Transistor)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 2 100 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 1200 В 69А (Tc) 289 Вт (Tc) со сквозным отверстием PG-TO247-4-17
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Technology | SiC(Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.1V @ 8.6mA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 27A, 18V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 289W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4-17 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 18 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1990 pF @ 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 69A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 26 мОм |