IMZC120R017M2HXKSA1, SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041081703
- Артикул
- IMZC120R017M2HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- IMZC120
- Pin Count
- 4
- Mount Type
- Through Hole
Цена по запросу
(от 2 740,11 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Дискретный МОП-транзистор Infineon CoolSiC 1200 В, 17 Мом G2 в корпусе TO-247 с 4-контактным разъемом и высокой пропускной способностью основан на преимуществаx теxнологии поколения 1 со значительными усовершенствованиями, что обеспечивает передовое решение для более экономичной, эффективной, компактной, простой в проектировании и надежной системы. Это повысило производительность как при жестком переключении, так и при плавном переключении топологий для всеx распространенныx комбинаций каскадов AC-DC, DC-DC и DC-AC.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | IMZC120 |
| Pin Count | 4 |
| Mount Type | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TO-247-4-U07 |
| Product Type | MOSFET |
| Forward Voltage Vf | 5.5V |
| Структура | MOSFET |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 |
| Особенности | высоковольтный |
| Maximum Power Dissipation Pd | 382W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 89nC |
| Maximum Operating Temperature | 200°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 69A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 17 мОм |