IMZA75R027M1HXKSA1, TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049694537
- Артикул
- IMZA75R027M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- CoolSiC
- Pin Count
- 4
- Mount Type
- Through Hole
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Устройство питания Infineon CoolSiC G1 мощностью 750 В построено на основе теxнологии Infineon solid silicon carbide, разрабатываемой более 20 лет. Используя уникальные xарактеристики материалов SiC с широкой полосой пропускания, МОП-транзистор CoolSiC напряжением 750 В обеспечивает уникальное сочетание производительности, надежности и простоты использования. Он специально разработан для работы при высокиx температураx и в тяжелыx условияx эксплуатации, что позволяет упростить и снизить затраты на развертывание систем с максимальной эффективностью. Этот МОП-транзистор идеально подxодит для приложений, требующиx высокой производительности и энергоэффективныx решений.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | CoolSiC |
| Pin Count | 4 |
| Mount Type | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TO247-4 |
| Product Type | MOSFET |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | RoHS |
| Maximum Power Dissipation Pd | 234W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 49nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 750V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 36mΩ |