Моя заявка (0)
IMZA65R072M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017547011
Артикул
IMZA65R072M1HXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolSiC
Pin Count
4
Вес, г
6.5
Серия:
IMZA65R072
Цена по запросу
(от 953 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор SILICON CARBIDE МОП-транзистор

Технические параметры

SeriesCoolSiC
Pin Count4
Вес, г6.5
Серия:IMZA65R072
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247-4
Mounting TypeThrough Hole
Упаковка:Tube
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSilicon
Технология:SiC
Вид монтажа:Through Hole
Время спада:5.6 ns
Особенности-
Тип продукта:MOSFET
Конфигурация:Single
Подкатегория:MOSFETs
Number of Elements per Chip1
Производитель:Infineon
Maximum Drain Source Voltage650 V
Торговая марка:Infineon Technologies
Упаковка / блок:TO-247-3
Maximum Gate Threshold Voltage5.7V
Канальный режим:Enhancement
Тип транзистора:1 N-Channel
Maximum Drain Source Resistance0.094 Ω
Qg - заряд затвора:22 nC
Maximum Continuous Drain Current28 A
Время нарастания:8.6 ns
Категория продукта:МОП-транзистор
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Pd - рассеивание мощности:96 W
Другие названия товара №:IMZA65R072M1H SP005398434
Id - непрерывный ток утечки:28 A
Коммерческое обозначение:CoolSiC
Размер фабричной упаковки:240
Vgs - напряжение затвор-исток:- 5 V, + 23 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:94 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:650 V
Минимальная рабочая температура:- 55 C
Максимальная рабочая температура:+ 150 C
Типичное время задержки выключения:21.6 ns
Типичное время задержки при включении:15.2 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :5.7 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация