IMZA65R057M1HXKSA1, CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014575788
- Артикул
- IMZA65R057M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolSiC
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 460 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon оснащен SiC MOSFET, обеспечивающим надежную и экономичную работу в 4-контактном корпусе TO247.
Технические параметры
| Series | CoolSiC |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247-4 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Power Dissipation (Pd) | 133W |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 28nC@18V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 930pF@400V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 35A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.7V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.074 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 133 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |