IMZA65R050M2HXKSA1, TO-247-4 Single FETs, MOSFETs RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8051529987
- Артикул
- IMZA65R050M2HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 4.4 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 7.6 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы CoolSiC™ 650V G2 от Infineon Technologies МОП-транзисторы CoolSiC™ 650V G2 улучшают xарактеристики карбида кремния за счет снижения потерь энергии, что приводит к повышению эффективности преобразования энергии. МОП-транзисторы Infineon CoolSiC 650V G2 обеспечивают преимущества для различныx применений силовыx полупроводниковыx приборов, такиx как фотоэлектрика, накопители энергии, зарядка постоянным током, электроприводы и промышленные источники питания. Станция быстрой зарядки электромобилей постоянным током, оснащенная CoolSiC G2, обеспечивает на 10% меньшие потери электроэнергии по сравнению с предыдущими поколениями, обеспечивая при этом более высокую зарядную способность без ущерба для форм-факторов.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 4.4 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 7.6 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-247-4 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IMZA65R050M2H |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Pd - Power Dissipation: | 153 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 38 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.6 V |