IMZA65R048M1HXKSA1, SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005505226
- Артикул
- IMZA65R048M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 33 nC
- V(DS)
- 650 V
- P(tot)
- 125 W
- Series
- CoolSiC
Цена по запросу
(от 1 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon оснащен SiC MOSFET, обеспечивающим надежную и экономичную работу в 4-контактном корпусе TO247.
Технические параметры
| Q(g) | 33 nC |
| V(DS) | 650 V |
| P(tot) | 125 W |
| Series | CoolSiC |
| Package | TO247-4 |
| R(thJC) | 1 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | NO |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247-4 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 39 A |
| Power Dissipation | 125Вт |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.7V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.064 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.048Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 39 A |
| Линейка Продукции | CoolSiC M1 |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 39А |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.048Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |