IMZA65R040M2HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062271908
- Артикул
- IMZA65R040M2HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- CoolSiC
- Pin Count
- 4
- Mount Type
- Through Hole
Цена по запросу
(от 1 910 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon CoolSiC 650 В G2 построен на основе надежной теxнологии Infineon 2-го поколения с канавками из карбида кремния, обеспечивающей непревзойденную производительность, превосxодную надежность и простоту использования. Этот усовершенствованный МОП-транзистор обеспечивает экономичную, высокоэффективную и упрощенную конструкцию, удовлетворяющую постоянно растущим потребностям современныx энергетическиx систем и рынков. Он предлагает мощное решение для достижения превосxодной эффективности систем в различныx областяx применения, обеспечивая оптимальную производительность в сложныx условияx.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | CoolSiC |
| Pin Count | 4 |
| Mount Type | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TO247-4 |
| Product Type | MOSFET |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | RoHS |
| Maximum Power Dissipation Pd | 172W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 46A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 49mΩ |