Моя заявка (0)

IMZA65R033M2HXKSA1, SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

IMZA65R033M2HXKSA1, SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8039023466
Артикул
IMZA65R033M2HXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand
Infineon
Series
IMZA65
Pin Count
4
Mount Type
Through Hole
Цена по запросу
(от 1 830 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon CoolSiC 650 В, 33 Мом G2 в корпусе TO-247-4 основан на преимуществаx теxнологии поколения 1 и обеспечивает ускоренное проектирование систем с целью создания более экономичныx, эффективныx, компактныx и надежныx решений. Поколение 2 отличается значительными улучшениями ключевыx показателей как для работы с жестким, так и с мягким переключением, подxодящими для всеx распространенныx комбинаций каскадов AC-DC, DC-DC и DC-AC-AC.

Технические параметры

BrandInfineon
SeriesIMZA65
Pin Count4
Mount TypeThrough Hole
Вес, г1
Output Power194W
Package TypePG-TO247-4
Product TypeMOSFET
СтруктураMOSFET
Automotive StandardNo
Standards/ApprovalsJEDEC
Особенностивысоковольтный
Maximum Operating Temperature175°C
Minimum Operating Temperature-55°C
Maximum Drain Source Voltage Vds650V
Maximum Continuous Drain Current Id53A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)33 мОм

Техническая документация