IMZA65R027M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003717489
- Артикул
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolSiC
Цена по запросу
(от 3 500 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon оснащен SiC MOSFET, обеспечивающим надежную и экономичную работу в 4-контактном корпусе TO247.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolSiC |
| Package | Tube |
| Series: | IMZA65R027 |
| Pin Count | 4 |
| Fall Time: | 8.4 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 4.2 ns |
| Tradename: | CoolSiC |
| Вес, г | 1 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Technology: | SiC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO-247-4 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | IMZA65R027M1H SP005398432 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 189Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 63 nC |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | IMZA65 -> |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 189 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +23 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21.4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21.6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 59 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.7V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.034 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.027Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 59 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 34 mOhms |
| Линейка Продукции | CoolSiC M1 |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.7 V |
| Непрерывный Ток Стока | 59А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 59A (Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 189Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.027Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 59 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 189 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.027 Ом |