IMZA120R030M1HXKSA1, MOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031812128
- Артикул
- IMZA120R030M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- CoolSiC
- Pin Count
- 4
- Mount Type
- Through Hole
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon CoolSiC SiC в корпусе TO-247-4 создан на основе ультрасовременного полупроводникового процесса trench, оптимизированного для сочетания производительности и надежности. По сравнению с традиционными переключателями на основе кремния (Si), такими как IGBT и MOSFET, SiC MOSFET обладает рядом преимуществ. К ним относятся самые низкие уровни заряда затвора и емкости устройства, наблюдаемые в переключателяx напряжением 1200 В, отсутствие потерь на обратное восстановление внутреннего диода корпуса с защитой от коммутации, низкие потери при переключении, не зависящие от температуры, и беспороговая xарактеристика состояния.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | CoolSiC |
| Pin Count | 4 |
| Mount Type | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TO-247-4-U02 |
| Product Type | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | RoHS |
| Особенности | высоковольтный |
| Maximum Power Dissipation Pd | 273W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 68nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 18 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 56mΩ |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +19 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 30 мОм |