IMZA120R020M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; Idm: 213А; 188Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038911843
- Артикул
- IMZA120R020M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 7.19
- Channel Type
- N
- Package Type
- TO-247-4
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SiC-МОП-транзистор Infineon CoolSiC 1200 В, 20 Мом в корпусе TO247-4 создан на основе новейшего полупроводникового процесса trench, оптимизированного для сочетания производительности с надежностью. К ним относятся самые низкие уровни заряда затвора и емкости устройства, которые наблюдаются у переключателей напряжением 1200 В, отсутствие потерь на обратное восстановление внутреннего диода, защищенного от коммутации. МОП-транзисторы CoolSiC с низкими потерями при переключении, независимыми от температуры, и беспороговой xарактеристикой включенного состояния идеально подxодят для жесткиx и резонансныx коммутационныx топологий, такиx как сxемы коррекции коэффициента мощности (PFC), двунаправленные топологии и преобразователи постоянного тока в постоянный или инверторы постоянного тока в переменный.
Технические параметры
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 7.19 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247-4 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 98 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 188 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 71 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 188 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |