IMZ1 Type N-Channel MOSFET, 4.7 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 IMZ120R350M1HXKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564612
- Артикул
- IMZ120R350M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- IMZ1
- Package
- Tube
Цена по запросу
(от 1 238,38 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 4,7А, Idm: 13А, 30Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | IMZ1 |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 4 |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Вес, г | 1 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Серия: | IMZ120R350 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247-4 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Power Dissipation | 60Вт |
| Упаковка: | Tube |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 1mA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | IMZ120 -> |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Технология: | SiC |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 2A, 18V |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Время спада: | 19.3 ns |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4-1 |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | Infineon |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.3nC @ 18V |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Торговая марка: | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок: | TO-247-4 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Maximum Drain Source Resistance | 350 mΩ |
| Qg - заряд затвора: | 5.3 nC |
| Drain Source On State Resistance | 0.35Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.7 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Время нарастания: | 1.7 ns |
| Линейка Продукции | CoolSiC |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 182pF @ 800V |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Непрерывный Ток Стока | 4.7А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.7A (Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 60Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 60 W |
| Другие названия товара №: | IMZ120R350M1H SP001808378 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Id - непрерывный ток утечки: | 4.7 A |
| Коммерческое обозначение: | CoolSiC |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Размер фабричной упаковки: | 240 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 7 V, + 23 V |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 350 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 1.2 kV |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения: | 10.8 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 4.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 5.7 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.35Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 1 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |