IMZ120R090M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 18А, Idm: 50А, 58Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070059592
- Артикул
- IMZ120R090M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 21 nC
- V(DS)
- 1200 V
- P(tot)
- 115 W
- Series
- IMZ1
Цена по запросу
(от 1 153,76 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор SIC DISCRETE
Технические параметры
| Q(g) | 21 nC |
| V(DS) | 1200 V |
| P(tot) | 115 W |
| Series | IMZ1 |
| Package | TO247-4 |
| R(thJC) | 1 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | NO |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 6.5 |
| Серия | IMZ120RXM1H |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO-247-4 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 90 mOhm |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 26 A |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 115Вт |
| Transistor Material | Si |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 11 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-247-4 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Qg - заряд затвора | 21 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 90 mΩ |
| Время нарастания | 3 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.09Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 26 A |
| Линейка Продукции | CoolSiC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Непрерывный Ток Стока | 26А |
| Рассеиваемая Мощность | 115Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 115 W |
| Другие названия товара № | IMZ120R090M1H SP001946182 |
| Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
| Коммерческое обозначение | CoolSiC |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 7 V, + 23 V |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 117 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 11.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.4 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.7 V |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.09Ом |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S |