IMZ1 Type N-Channel MOSFET, 56 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 IMZ120R030M1HXKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024463480
- Артикул
- IMZ120R030M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 63 nC
- V(DS)
- 1200 V
- P(tot)
- 227 W
- Series
- IMZ1
Цена по запросу
(от 5 203,85 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 45А, Idm: 150А, 114Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Q(g) | 63 nC |
| V(DS) | 1200 V |
| P(tot) | 227 W |
| Series | IMZ1 |
| Package | TO247-4 |
| R(thJC) | 0.51 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | NO |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247-4 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 30 mOhm |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 56 A |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 30 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 56 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 56 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 114 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |