CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 48 A, 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 IMYH200R050M1HXKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050801803
- Артикул
- IMYH200R050M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +20V, -7V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 8 410 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 2000 В 48А (Tc) 348 Вт (Tc) Со сквозным отверстием PG-TO247-4-U04
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +20V, -7V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 1 |
| Корпус | to247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 12.1mA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 20A, 18V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 348W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4-U04 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 18 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 2000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 48 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |