IMYH200R024M1HXKSA1, Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET SiC N-Channel MOSFET, 89 A, 2000 V, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NT14
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063796480
- Артикул
- IMYH200R024M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 4
Цена по запросу
(от 6 630 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 2000 В 89А (Tc) 576 Вт (Tc) Со сквозным отверстием PG-TO247-4-U04
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 4 |
| Vgs (Max) | +20V, -7V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TO247-4-PLUS-NT14 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 24mA |
| Transistor Material | SiC |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 40A, 18V |
| Power Dissipation (Max) | 576W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4-U04 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137 nC @ 18 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 2000 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 2000 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 89 A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 89A(Tc) |