IMX9T110, Транзистор биполярный,NPN,dual, 20В, 500мА, 150мВт, SC74
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014886350
- Артикул
- IMX9T110
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Вес, г
- 0.04
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 300 МВт, 560 В при 10 мА, 3 В 500 мА, 2 биполярныx транзистора NPN SC-74 - BJT ROHS
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IMX9 |
| Transistor Type | 2 NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 2700 |
| Transition Frequency (fT) | 350MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 350 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 12 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 560@10mA, 3V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 25 V |
| Continuous Collector Current: | 500 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 560 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 180 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 180mV@500mA, 20mA |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 20 |