Моя заявка (0)

IMX2T108, 100nA 50V 300mW 120@1mA,6V 150mA 180MHz 400mV@50mA,5mA 2 NPN +150-@(Tj) SOT-457 Bipolar Transistors - BJT

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015770604
Артикул
IMX2T108
Бренд
Rohm
Вес, г
1
Transistor Type
2 NPN
Структура
npn
Operating Temperature
-
Цена по запросу
(от 4,70 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

50 В 300 МВт, 120 В при 1 мА, 6 В 150 мА, 2 биполярныx транзистора NPN SOT-457 - BJT ROHS

Технические параметры

Вес, г1
Transistor Type2 NPN
Структураnpn
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)150mA
Pd - Power Dissipation300mW
Power Dissipation (Pd)300mW
Transition Frequency (fT)180MHz
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)120@1mA, 6V
Maximum DC Collector Current150mA
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage50V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)400mV@50mA, 5mA
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц180

Техническая документация