IMX1T110, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072492434
- Артикул
- IMX1T110
- Бренд
- Rohm
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.1
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- IMX1
Цена по запросу
(от 38 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT DUAL NPN 50V 150MA SOT-457
Технические параметры
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | IMX1 |
| Package Type | SOT-457 |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 1.6 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Minimum DC Current Gain | 120 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 180MHz |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@1mA, 6V |
| Maximum DC Collector Current | 150 mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Другие названия товара № | IMX1 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA, 5mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |