IMWH170R1K0M1XKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 5.4 A, 1.7 kV, 0.88 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8059541473
- Артикул
- IMWH170R1K0M1XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- 15V, 12V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 878 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 1700 В 5,4 А (Tj) 70 Вт (Tc) Со сквозным отверстием PG-TO247-3-U04
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | 15V, 12V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 1.2mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 880mOhm @ 1A, 15V |
| Power Dissipation (Max) | 70W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-U04 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 12 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 233 pF @ 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V, 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A(Tj) |