IMW65R107M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033518276
- Артикул
- IMW65R107M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 15 nC
- V(DS)
- 650 V
- P(tot)
- 75 W
- Series
- CoolSiC
Цена по запросу
(от 1 430 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор SILICON CARBIDE МОП-транзистор
Технические параметры
| Q(g) | 15 nC |
| V(DS) | 650 V |
| P(tot) | 75 W |
| Series | CoolSiC |
| Package | TO-247 |
| R(thJC) | 1.6 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 6.5 |
| Серия | IMW65R107 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 20 A |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 75Вт |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Silicon |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 6.2 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.7V |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.142 Ω |
| Время нарастания | 11.4 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.107Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Линейка Продукции | CoolSiC M1 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Рассеиваемая Мощность | 75Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 75 W |
| Другие названия товара № | IMW65R107M1H SP005398436 |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Коммерческое обозначение | CoolSiC |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V, + 23 V |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 142 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 12.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.2 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.7 V |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.107Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |