IMW65R083M1HXKSA1, SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008770915
- Артикул
- IMW65R083M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolSiC
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 8
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 838,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon оснащен SiC MOSFET, обеспечивающим надежную и экономичную работу в 3-контактном корпусе TO247.
Технические параметры
| Series | CoolSiC |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 8 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.7V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.111 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 24 A |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |