IMW65R072M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 650В, 18А, Idm: 69А, 96Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070102711
- Артикул
- IMW65R072M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 22 nC
- V(DS)
- 650 V
- Brand:
- Infineon Technologies
- P(tot)
- 96 W
Цена по запросу
(от 845 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon оснащен SiC MOSFET, обеспечивающим надежную и экономичную работу в 3-контактном корпусе TO247.
Технические параметры
| Q(g) | 22 nC |
| V(DS) | 650 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 96 W |
| Series | CoolSiC |
| Package | TO-247 |
| R(thJC) | 1.3 K/W |
| Series: | IMW65R072 |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Fall Time: | 6 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 14.6 ns |
| Technology | SiC |
| Tradename: | CoolSiC |
| Вес, г | 6.12 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | SiC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 26 A |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | IMW65R072M1H SP005398438 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 96Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 96 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +23 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18.2 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21.6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 26 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.7V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.094 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.072Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 26 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 94 mOhms |
| Линейка Продукции | CoolSiC M1 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.7 V |
| Непрерывный Ток Стока | 26А |
| Рассеиваемая Мощность | 96Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.072Ом |