Моя заявка (0)

IMW65R057M1HXKSA1, 650V 35A 74mOhm@16.7A,18V 133W N Channel TO-247-3-41 MOSFETs ROHS

IMW65R057M1HXKSA1, 650V 35A 74mOhm@16.7A,18V 133W N Channel TO-247-3-41 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070177430
Артикул
IMW65R057M1HXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolSiC
Pin Count
3
Вес, г
6.1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 1 860 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon оснащен SiC MOSFET, обеспечивающим надежную и экономичную работу в 3-контактном корпусе TO247.

Технические параметры

SeriesCoolSiC
Pin Count3
Вес, г6.1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Mounting TypeThrough Hole
Transistor MaterialSilicon
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Gate Threshold Voltage5.7V
Maximum Drain Source Resistance0.074 Ω
Maximum Continuous Drain Current35 A

Техническая документация