IMW65R057M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012537458
- Артикул
- IMW65R057M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolSiC
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 790 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon оснащен SiC MOSFET, обеспечивающим надежную и экономичную работу в 3-контактном корпусе TO247.
Технические параметры
| Series | CoolSiC |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.7V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.074 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.057 Ом |