IMW65R048M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070054270
- Артикул
- IMW65R048M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- Type
- 1PCSNChannel
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Package
- Tube
Цена по запросу
(от 1 178,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор SILICON CARBIDE МОП-транзистор
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Type | 1PCSNChannel |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Package | Tube |
| Вес, г | 6.5 |
| Серия | IMW65R048 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Упаковка | Tube |
| Base Product Number | IMW65R048 -> |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 11.4 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 125W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 33nC@18V |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.118nF@400V |
| Continuous Drain Current (Id) | 39A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 33 nC |
| Время нарастания | 12.4 ns |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 39A (Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Другие названия товара № | IMW65R048M1H SP005398439 |
| Id - непрерывный ток утечки | 39 A |
| Коммерческое обозначение | CoolSiC |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V, + 23 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 64 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 15.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14.6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.7 V |