IMW65R030M1HXKSA1, 650V 58A 197W 42mOhm@29.5A,18V N Channel TO-247-3-41 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070046906
- Артикул
- IMW65R030M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolSiC
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 3
- Vgs (Max)
- +20V, -2V
Цена по запросу
(от 3 140 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon оснащен SiC MOSFET, обеспечивающим надежную и экономичную работу в 3-контактном корпусе TO247.
Технические параметры
| Series | CoolSiC |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | +20V, -2V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 8.93 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 8.8mA |
| Transistor Material | Silicon |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 29.5A, 18V |
| Power Dissipation (Max) | 197W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 18 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.7V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.042 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 58 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1643 pF @ 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A(Tc) |