IMW65R027M1HXKSA1, SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005505223
- Артикул
- IMW65R027M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- Q(g)
- 62 nC
- Type
- Power MOSFET
- HTSUS
- 8541.29.0095
Цена по запросу
(от 1 791,21 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET из карбида кремния N-CH 650V 47A 3-контактный TO-247 Tube - Rail /трубка (Alt: IMW65R027M1HXKSA1)
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Q(g) | 62 nC |
| Type | Power MOSFET |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| V(DS) | 650 V |
| P(tot) | 189 W |
| Series | CoolSiC |
| Package | Tube |
| R(thJC) | 0.66 K/W |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Automotive | NO |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Rad Hardened | No |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 47 A |
| Power Dissipation | 189(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Base Product Number | IMW65R027 -> |
| Transistor Material | Silicon |
| Drain-Source On-Volt | 650(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 47(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | 18(V) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.7V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.034 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 47 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 47A (Tc) |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 189 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |