IMW65 SiC N-Channel MOSFET, 64 A, 650 V, 3-Pin PG-TO247-3 IMW65R026M2HXKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8055041621
- Артикул
- IMW65R026M2HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 42 nC
- V(DS)
- 650 V
- P(tot)
- 227 W
- Package
- TO247-3
Цена по запросу
(от 4 050 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Q(g) | 42 nC |
| V(DS) | 650 V |
| P(tot) | 227 W |
| Package | TO247-3 |
| R(thJC) | 0.66 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Automotive | NO |
| Technology | CoolSiC |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Корпус | to247 |
| Configuration | N-CH |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 64 A |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 64 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |