IMW65R007M2HXKSA1, TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049798136
- Артикул
- IMW65R007M2HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +23V, -7V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
- Вес, г
- 8.55
Цена по запросу
(от 6 590 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 650 В 171 А (Tc) 625 Вт (Tc) со сквозным отверстием PG-TO247-3-U06
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 8.55 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 29.7mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 146.3A, 20V |
| Power Dissipation (Max) | 625W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-U06 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 179 nC @ 18 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6359 pF @ 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 171A(Tc) |