IMW120R350M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041536340
- Артикул
- IMW120R350M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- CoolSiCв„ў ->
- Package
- Tube
Цена по запросу
(от 1 080 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор SIC DISCRETE
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | CoolSiCв„ў -> |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Вес, г | 6.5 |
| Серия | IMW120R350 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Type | N Channel |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 60Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 1mA |
| Base Product Number | IMW120 -> |
| Технология | SiC |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 21.5 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 455mOhm @ 2A, 18V |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.3nC @ 18V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
| Qg - заряд затвора | 5.3 nC |
| Время нарастания | 0.7 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.35Ом |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Линейка Продукции | CoolSiC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 182pF @ 800V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Непрерывный Ток Стока | 4.7А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.7A (Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 60Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Другие названия товара № | IMW120R350M1H SP001808376 |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.7 A |
| Коммерческое обозначение | CoolSiC |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 7 V, + 23 V |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 455 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 11.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.7 V |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.35Ом |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1 S |